●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●グレード：ダミーグレード●タイプ：4H●Surface orientation error：＜11-20＞4±0.5 °●ドーパント：N型 Nitrogen●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm●直径：200.0±0.2mm●厚み：500±25 μm●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm●セカンドオリフラ：None●LTV：?10（10mm×10mm）μm●TTV：?15μm●Bow：0±65μm●Warp：?70μm●（AFM）Front（Si-face）Roughness：Ra?0.2 nm●マイクロパイプ：?50ea／cm●金属不純物：NA●TED：NA●BPD：NA●TSD：NA●＜表面状態＞●フロントサイド：Si●面状態：Si-face CMP●パーティークル：NA●スクラッチ：NA●＜裏面状態＞●面状態：C-face polished●スクラッチ：NA ea／mm●裏面粗さ：Ra?5 nm●レーザーマーク：On●エッジ：Chamfer●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量：1枚（1箱）●※特注対応品●▼方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。
