●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。●サイズ:4インチシリコンウェハ●直径(mm):100.0±0.2●ウェハー厚(μm):1000±50●製造方法:CZ法●導電型:P型●面方位:100●OF方位:110●抵抗値(Ω・cm):1~100●OF長(mm):32.5±2.5●面状態:ミラー/エッチド●パーティクル:ダストフリー●TTV(μm):≦25●数量:25枚(1箱)●※特注対応品●▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
![4インチシリコンウェハ(厚み:1000μm)研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚](/upload/save_image/10151322_68ef218801e.jpg)







































