研究用高純度シリコンウェハー 25枚入 4×N型　シリーズ一覧

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：4×N型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：3×P型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：47.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：6×P型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●サイズ（インチ）×伝導型：2×P型
●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25
●入数：1箱（25枚入）
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm
●パーティクル：≧0.3μm、10個以下
●※特注対応品：
●▼方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：42.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：5×P型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：42.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：5×N型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25
●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型(高抵抗)
●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：32.5±2.5×525±25
●入数：1箱(25枚)
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：≧500Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●特注対応品について
●①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25
●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型(低抵抗)
●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：32.5±2.5×525±25
●入数：1箱(25枚)
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：≦0.02Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●特注対応品について
●①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

仕　様

●サイズ（インチ）×伝導型：6×P型
●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：パーティクル不問
●入数：1枚
●特注対応品について
●①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：22.5±2.5×380±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：3×N型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

仕　様

●サイズ（インチ）×伝導型：6×N型
●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：パーティクル不問
●入数：1枚
●特注対応品について
●①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：32.5±2.5×525±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：4×P型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

• B.研究用材料>
• 1.研究用材料

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●OF長さ(mm)×ウェハー厚（μｍ）：47.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：0.3μm、10個以下
●サイズ（インチ）×伝導型：6×N型
●入数：1箱（25枚）
●特注対応品について
●▼①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●▼③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

分　類

• 10.クリーン環境関連機器>
• E.ウェハーキャリア・特殊精密工具

特　徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕　様

●サイズ（インチ）×伝導型：2×N型
●OF長さ（mm）×ウェハー厚（μm）：17.5±2.5×280±25
●入数：1箱（25枚入）
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm　※低抵抗：≦0.02Ω・cm、高抵抗：≧500Ω・cm
●パーティクル：≧0.3μm、10個以下
●※特注対応品：
●▼方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●▼8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。